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电力工业论文_异质结退火诱导Sb_2Se_3开路电
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摘要：文章摘要:硒化锑（Sb 2 Se 3 ）作为极具潜力的高性能薄膜太阳电池吸收层材料,其电池器件转换效率近年内迅速提升（目前最高效率9.2%）。然而,严重的开路电压损耗是目前制约Sb 2 Se 3 薄
文章摘要:硒化锑（Sb2Se3）作为极具潜力的高性能薄膜太阳电池吸收层材料,其电池器件转换效率近年内迅速提升（目前最高效率9.2%）。然而,严重的开路电压损耗是目前制约Sb2Se3薄膜太阳电池进一步发展的主要瓶颈。当前高效率Sb2Se3电池器件的开路电压普遍都在400 mV左右,远远低于其S-Q极限值（小于极限值的50%）。择优柱状生长的Sb2Se3光吸收层薄膜。此外,采用快速退火炉（RTP）对Sb2Se3/CdS异质结进行后退火处理,通过严格控制升温速率,退火温度和时间等关键工艺参数,实现了吸收层前表面Cd2+离子的有效P型掺杂,大幅度优化了异质结性能。相关器件物理分析表明,上述异质结退火可钝化异质结界面的缺陷,增大异质结处的能带弯曲并获得更优的能带排布,最终有效抑制光生载流子在耗尽层区和吸收层前表面的复合,制备出光电转换效率为8.48%的电池器件。其中Voc为516 mV,是目前所有Sb2Se3薄膜太阳电池中的最高开路电压（约为其S-Q极限值的56%）。有效的异质结退火策略为Sb2Se3薄膜太阳电池的发展提供新的前景。
文章关键词:Sb2Se3,薄膜太阳,异质结退火,界面缺陷,开路电压损耗,
论文作者:唐戎 陈烁 苏正华 范平 梁广兴
作者单位:深圳大学物理与光电工程学院
论文DOI: 10.26914/c.cnkihy.2021.003919
论文分类号: TM914.42
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文章来源：《光电工程》 网址: http://www.gdgcbjb.cn/qikandaodu/2021/0818/487.html
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